铌酸锂晶体在声学领域的发展前景

　铌酸锂晶体具备飞秒量级响应速度的线性电光效应(泡克尔斯效应)，宽的透明窗口等物理特征，它已经成为受欢迎电光调制材料之一。鉴于体铌酸锂晶体的调制器在三十年前已经实现商用化，体现出优良的性能。但是传统铌酸锂调制器取决于弱光学限制的钛扩散或质子交换光波导，这也使得它在调制效率、尺寸大小带宽上已经无法进一步提高。同时在薄膜铌酸锂(thin-filmlithiumniobate)集成平台刻蚀形成强光学限制的波导，为高性能、小型化电光调制的开发奠定了基础，是助力光通信网络突破带宽和瓶颈的关键技术。

　　铌酸锂晶体在声学领域的应用：

　　现阶段的第五代移动通信网络(5G)部署包括了3~5GHz的sub-6G频段及其24GHz以上的毫米波频段，通信频率提高不但要求晶体材料压电性能可以满足，还要求晶片更薄、叉指电极间距更小，器件的制备工艺受到很大挑战。

　　所以，在4G时代及之前所广泛用于铌酸锂晶体和钽酸锂晶体制备的声表面滤波器，在5G时代面临声体波器件(BAW)和薄膜腔声谐振器件(FBAR)的竞争。

　　铌酸锂晶体在更高频率的滤波器方面研究成果飞快,材料和器件制备技术依然表现出了巨大的潜力。伴随着铌酸锂单晶薄膜材料及其新型声学器件技术发展，作为未来5G通信的核心器件之一，鉴于铌酸锂晶体的前端射频滤波器有着极大的应用价值。

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